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Package Marking and Ordering Information
Part Number
FDA69N25
Top Mark
FDA69N25
Package
TO-3PN
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 250 V, V GS = 0 V
V DS = 200 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
250
--
--
--
--
--
--
0.25
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 34.5 A
V DS = 40 V, I D = 34.5 A
3.0
--
--
--
0.034
25
5.0
0.041
--
V
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
--
3570
750
84
4640
980
130
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 125 V, I D = 69 A,
V GS = 10 V, R G = 25 Ω
V DS = 200 V, I D = 69 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
95
855
130
220
77
24
37
200
1720
270
450
100
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
34
136
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 69 A
V GS = 0 V, I S = 69 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
210
5.7
1.4
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive rating : pulse-width limited by maximum junction temperature.
2. L = 0.64 mH, I AS = 69 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 69 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature typical characteristics.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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FDA800002 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR
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